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在元器件短缺、產能吃緊、碳中和以及疫情驅動的全球化數字轉型等多種因素的疊加影響下，功率半導體市場迎來一波高速成長。這其中不僅傳統功率器件的需求增長，以SiC和GaN為代表新一代寬能隙半導體器件也獲得了高速成長的機會。這一點，可能就連SiC和GaN半導體器件的供應商們也沒有想到，幸福來的這么快。
多家權威機構在近兩年的科技趨勢預測中，寬能隙半導體都占據了重要位置。如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這樣的第三代半導體器件，其耐高溫、耐高壓、高工作頻率，抗輻射等優異特性，在高功率密度，大功率應用領域綻放異彩。工藝、成本等障礙不斷被克服，未來的幾年中，我們將在軌道交通、5G基站，新能源汽車、數據中心、特高壓電網、消費電子等諸多領域越來越多地看到它們的身影，感受到更多地科技變革。
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