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Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET

本文作者：Vishay 點(diǎn)擊： 2024-12-05 11:35

前言：

器件占位面積小，采用BWL設(shè)計(jì)，ID高達(dá)795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 ?C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能

2024年12月4日--日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競(jìng)品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時(shí)比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。

日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0.34 m?，最大限度減少了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時(shí)通過(guò)低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設(shè)計(jì)人員使用一個(gè)器件（而不用并聯(lián)兩個(gè)器件）實(shí)現(xiàn)相同的低導(dǎo)通電阻，從而提高了可靠性，并延長(zhǎng)了平均故障間隔時(shí)間（MTBF）。

MOSFET采用無(wú)線鍵合（BWL）設(shè)計(jì)，最大限度減少了寄生電感，同時(shí)最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A，而SiJK140E可提供高達(dá)795 A的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時(shí)提供強(qiáng)大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2，可節(jié)省27 %的PCB空間，同時(shí)厚度減小50 %。

SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電動(dòng)工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人和3D打印機(jī)。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通，標(biāo)準(zhǔn)級(jí)FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測(cè)試。

PPAK10x12與 TO-263-7L規(guī)格對(duì)比

產(chǎn)品編號(hào)		SiJK140E	SUM40014M	性能改進(jìn)
封裝		PowerPAK10x12	TO-263-7L	-
尺寸 (mm)		10 x 12	10.4 x 16	+27 %
高度		2.4	4.8	+50 %
V_DS (V)		40	40	-
V_GS(V)		± 20	± 20	-
配置		單	單	-
V_GSth(V)	最小值	2.4	1.1	+118 %
R_DS(on)(m?) @ 10 V_GS	典型值	0.34	0.82	+58 %
R_DS(on)(m?) @ 10 V_GS	最大值	0.47	0.99	+53 %
Q_g (nC) @ 10 V_GS	典型值	312	182	-
FOM	-	106	149	+29 %
I_D (A)	最大值	795	200	+397 %
R_thJC(C/W)	最大值	0.21	0.4	47 %

SiJK140E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，訂貨周期為36周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對(duì)于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天和醫(yī)療市場(chǎng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

The DNA of tech®是Vishay Intertechnology, Inc.的注冊(cè)商標(biāo)。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注冊(cè)商標(biāo)。

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