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Littelfuse推出高性能超級結X4-Class 200V功率MOSFET
前言：
提供業界領先的低通態電阻，使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化，性能得到提升。
超級結X4-Class 200V功率MOSFET
2024年11月26日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。
這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來替換多個并聯的低額定電流器件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅固穩定。
這些新的200V MOSFET提供最低的導通電阻，增強并補充了現有的Littelfuse X4-Class超級結系列產品組合。與當下最先進的X4-Class MOSFET解決方案相比，這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍，導通電阻值最高可降低約63%。
新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導通損耗的一系列低壓功率應用，包括：
• 電池儲能系統（BESS）
• 電池充電器
• 電池成型
• DC/電池負載開關，以及
• 電源
“新器件將允許設計人員用一個器件解決方案取代多個并聯的低額定電流器件。”Littelfuse全球產品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar表示， “這種獨特的解決方案簡化了柵極驅動器設計，提高了可靠性，改善了功率密度和PCB空間利用率。”
超級結X4級功率MOSFET具有以下主要性能優勢：
• 低傳導損耗
• 最少的并行連接工作量
• 驅動器設計簡化，驅動器損耗最小
• 簡化的熱設計
• 功率密度增加
為什么對于看重極小導通損耗的應用來說具有低導通電阻的MOSFET是首選？
對于看重極小導通損耗的應用來說，具有低導通電阻（RDS(on)）的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是理想選擇。這類器件能顯著降低工作期間的功耗，從而降低傳導損耗，提高效率，并減少發熱。因此，它們非常適合電源、電機驅動器和電池供電設備等功率敏感型應用，在這些應用中，保持高效率和熱管理至關重要。
性能指標
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性能指標 |
IXTN500N20X4 |
IXTN400N20X4 |
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封裝 |
氮化鋁陶瓷基隔離SOT-227B |
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通態電阻 |
RDS(on) = 1.99m? @ Tvj = 25°C |
RDS(on) = 3m? @ Tvj = 25°C |
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高標稱額定電流 |
500A @ TC = 25°C |
340A @ TC = 25°C |
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柵極電荷 |
Qg = 535nC |
Qg = 348nC |
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熱阻 |
RthJC = 0.13K/W |
RthJC = 0.18K/W |
供貨情況
超級結X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨。可通過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權經銷商名單，請訪問 Littelfuse.com。
更多信息
有關新發布系列的更多信息，請訪問 超級結X4-Class功率MOSFET產品頁面。如有技術問題，請聯系：產品營銷工程師Sachin Shridhar Paradkar， sparadkar@littelfuse.com.
關于Littelfuse
Littelfuse是一家多元化的工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和打造更安全的世界提供動力。憑借覆蓋超過20個國家的業務和約16,000名全球員工，我們與客戶合作，設計和交付創新、可靠的解決方案。服務于超過100,000家最終客戶，我們的產品每天應用于世界各地的各種工業、運輸和電子終端市場。Littelfuse成立于1927年，總部位于美國伊利諾伊斯州芝加哥。詳情請訪問 Littelfuse.com。
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