傳統認知上，若頻率稍高、但電壓或功率不是很高時采用硅基 MOSFET (金屬氧化物半導體場效晶體管，簡稱 MOS)；高頻低壓或低頻高壓用 IGBT (絕緣柵雙極晶體管)；高頻高壓用碳化硅 (SiC) MOS，而電壓、功率不大但需高頻則采用氮化鎵 (GaN)。相較于硅基 IGBT，SiC 的導通電阻更低，可降低功率器件體積，有助于新能源汽車的輕量化。羅姆半導體 (ROHM) 臺灣技術中心副理唐仲亨表示，就目前發展趨勢來看，SiC 與 GaN 重迭性不高：SiC 以大電壓、大電流為主，用于一些三相電源的應用場合或是逆變器，SiC MOS 未來或會影響 IGBT 區塊。
照片人物：羅姆半導體 (ROHM) 臺灣技術中心副理唐仲亨
GaN 則是以高頻、高功率密度及小型化為主，用于服務器、快充及適配器 (adapter) 等。值得留意的是，由于 GaN 組件耐壓與硅基 MOS 差不多，且切換損耗較低，未來或將侵蝕硅基超級結 (Super junction) MOS份額。唐仲亨分析，目前電動機車的電池電壓在 100V 以下且功率小，不會是 SiC 器件的目標市場；而電動車的電池約 400～500V、未來更有機會上看 800V，且功率逐年增加，因此電動車的普及會是帶動 SiC 器件的主要動力之一。許多車廠計劃推出內含 SiC MOS 的車載充電器 (on-board charger)，預計到 2022 年會有明顯的需求。
此外，SiC MOS 牽引逆變器 (traction inverter) 預估 2025 會有比較明顯的成果。唐仲亨坦言，2019 年的市況受到中美貿易摩擦影響而低迷，2020 年又遭逢肺炎疫情攪局，雖然 ROHM 的 SiC 產品在空調、服務器／PC 電源等部分應用仍有成長，但整體而言由于比例較高的車載需求降低，整體成長仍有放緩。與此同時，中國從 2019 年開始調整電動車 (EV) 相關補貼制度，加上疫情使當地電動車的市場成長曲線發生變化，后續亦有待觀察。凡此種種，市場現況恐將較 2018 年初預測出現兩年的成長延遲。
不過唐仲亨預期，若放大時間軸至 2024、2025 年來看，假設疫情已得到控制、且電動車相關市場需求預測仍未延遲，車用逆變器等需求仍見強勁。他特別提到，ROHM 在開發 SiC 器件之外也開發適用的柵極驅動器 (gate driver)，以便為用戶提供從驅動到 SiC 器件的整體建議。ROHM 的 SiC MOS 目前量產的第三代產品為溝槽式 (trench)，也是率先量產此類結構的 SiC MOS 供貨商；唐仲亨并預告，2021 年他們將接力推出同結構的第四代 SiC MOS，除了優化切換特性，其單位面積的導通阻抗可再降低 40%，性能及成本皆更具競爭力。
圖：羅姆第四代 SiC MOS 優化切換特性且更具競爭力
資料來源：ROHM 提供
