意法半導體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效

        本文作者:意法半導體       點擊: 2016-11-04 14:02
        前言:
        2016年11月4日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發布兩款40V汽車級MOSFET。新產品采用意法半導體最新的STripFET™ F7制造技術,開關性能優異,能效出色,噪聲輻射極低,耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A,主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統,同時優異的開關特性使其特別適用于電機驅動裝置,例如電動助力轉向系統(EPS)。
         


        意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE™技術降低芯片單位面積導通電阻RDS(on)和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值,在采用相同的功率器件封裝條件能效非常優異。高雪崩特點是新產品另一大亮點。
         
        通過降低體效應二極管的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),STripFET F7的開關性能尤其是能效大幅提升,同時軟度更高的反向恢復可最大限度降低靜電干擾 (EMI),從而放寬對濾波器件的要求。此外,電容得到優化,使器件抗噪性得到改善,緩解了對緩沖電路的需求,閾壓調校使器件具有良好的耐抗誤導通性能,而無需專用柵驅動器。在電機驅動等電橋拓撲中,二極管軟恢復方法有助于防止直通電流現象發生,從而提高驅動電路的可靠性。
         
        40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通過AEC-Q101標準認證,采用側面支持濕法焊接的PowerFLAT 5x6封裝。緊湊的封裝面積和0.8mm的厚度支持高系統功率密度,此外側面鍍錫設計有助于提升焊接可靠性和壽命,100%支持自動光學檢驗工序。
         
        40V車用STripFET F7 MOSFET即日起量產。
         
        詳情訪問:www.st.com/stripfetf7
         
        關于意法半導體
        意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領先的半導體公司,提供與日常生活息息相關的智能的、高能效的產品及解決方案。意法半導體的產品無處不在,致力于與客戶共同努力實現智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居,以及下一代移動和物聯網產品。享受科技、享受生活,意法半導體主張科技引領智能生活(life.augmented)的理念。
         
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