飛思卡爾領跑小功率射頻市場

        本文作者:徐俊毅       點擊: 2014-04-23 15:16
        前言:
        手機技術的快速發展,出現了各種各樣的無線通信協議,從較早的GSM、DCS、PCS、CDMA、WCDMA,到近些年的TD-SCDMA和現在非常熱門的4G LTE,這些協議都依賴于射頻通信技術。然而,縱觀整個射頻通信市場,手機僅僅是其中一個應用而已,無線通信技術已經廣泛用于人類的生產生活中,如:工業科學和醫療(ISM)、陸地移動無線電對講(LMR)、廣播發射、軍用民用雷達等等。
         

         
        對從蜂窩無線網絡一路走來的飛思卡爾半導體來說,射頻技術可謂是看家本領。盡管在幾年以前,飛思卡爾將手機的射頻部分精簡出去,但是在大到宏基站,小到對講機這樣的無線射頻技術應用中,飛思卡爾仍然具有全覆蓋能力。

        射頻功率技術就是通過直流能量轉換,把RF射頻信號放大,從而實現信號傳遞的技術,是通信信號鏈系統的關鍵技術之一,而這里面小功率射頻功率器件就是難上加難的技術,掌握這一技術的公司屈指可數,當然市場回報十分豐厚。

        正如業一位內專家所說:“這是一個贏家通吃的市場。”
         
        為了做到這一點,飛思卡爾需要能夠提供從10MHz到4GHz通信能力、功率從幾個瓦特到超過1200瓦特,電壓從3.5V到50V的不同規格的產品。這里面涉及材料術、生產到封裝各個環節的關鍵技術。尤其是用于不同功率條件的芯片要使用不同的材料來生產制造。這不僅需要強大的制造能力,還需要長期的技術積累。
         

         
        在過去的15年,飛思卡爾不斷加大在射頻方面的投入,特別是在市場不斷成長的亞太地區,經過不懈努力,如今亞太區市場已經成為飛思卡爾射頻業務的主要收入來源,而且其市場反應速度也成倍提升,新產品推出速度也大大加快了。
         
        面向手持應用的RF移動無線電組合喜添新成員
        2014年3月24日,飛思卡爾半導體宣布,為手持移動無線電應用推出一款6W的新器件—AFT05MS006N。不僅針對手持移動無線電應用,6W的 AFT05MS006N因其卓越的靈活性和較寬的功率范圍,也廣泛適用于更高功率的移動無線電解決方案。新器件整合電路,增加穩定性,從而簡化了設計,并支持多種運行條件。此外,該產品極其堅固,因此即使在公共安全、專業移動無線電和機器對機器通信環境等嚴苛的運行條件中也能實現最佳性能。
         

         
        Airfast RF功率解決方案組合新成員能承受大于65:1的VSWR,即使有同步過壓和過驅動加壓了放大器和射頻功率晶體管。此外,Airfast器件的平均效率達到65%,與通常為25%至40%的模塊解決方案相比有了很大改進。

        憑借這個旗艦型Airfast RF功率解決方案組合的最新產品,飛思卡爾成為唯一一家能夠支持所有移動無線電功率級別的供應商,功率范圍從5W的手持單元到75W的數字移動無線電設備和基站。
         
        MMZ25333B功率放大器可為單個5V器件提供無與倫比的頻率范圍、增益和功率特性
        2014年3月24日,飛思卡爾半導體公司推出首款2W集成式功率放大器,采用5V電源,可提供超過40dB 的增益,可覆蓋1500 MHz至2700 MHz的所有頻段。該組件可支持在該頻率下運行的任何蜂窩標準,其中包括GSM、3G、4G 和 LTE。

        MMZ25333B具備多功能、高增益特性, 適用于宏基站中的驅動器和預驅動器應用,以及小基站中的末級應用。其超高的性能和PA集成可幫助客戶減少部件數量,提高供應鏈的效率,并優化成本。由于該器件可用于多個平臺和頻段,因此它可在不同的項目間重復使用,大大簡化了供應鏈庫存。
         

         
        MMZ25333B 是一款采用InGaP GaAs HBT技術的多級功率放大器,并采用符合業界標準的4mm QFN 封裝。
        MMZ25333B計劃于2014年4月全面投入生產。
         
        如今市場需求越來越嚴苛的,不僅件要求射頻功率器件能夠在嚴酷、非受控環境下保持可靠性、耐用性和穩定性,而且對設備尺寸有更為嚴格的要求,成本也要兼顧。這使得制造商面臨更多挑戰,要攻克更多技術難關和滿足客戶的各種需求。近期一系列新型射頻功率器的推出,標志著飛思卡爾再一次在這一領域搶得先機。

        附:AFT05MS006N的產品規格
        新Airfast RF功率LDMOS器件采用 PLD-1.5W封裝。其他特性包括:
        •能承受> 65:1 的 VSWR,即使有同步過壓和過驅動
        •大于16 dB的高功率增益,需要更少的階段并提高穩定性
        •60%以上的高效率,簡化了冷卻,并實現更小的基站規格
        •可用于VHF、UHF和800 M頻段的參考電路
         
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