屬性 |
定義 |
硅 |
SiC-4H |
Eg (eV) |
帶隙能源 |
1.12 |
3.26 |
Ebr (MV/cm) |
臨界場擊穿電壓 |
0.3 |
3.0 |
vs(x107cm/s) |
飽和速度 |
1.0 |
2.2 |
μ (cm2/V.s) |
電子遷移率 |
1400 |
900 |
λ (W / cm.K) |
熱導率 |
1.3 |
3.7 |
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