2017年5月26日--意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產品可提高汽車系統電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術的汽車零配件大廠電裝株式會社選用。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在外面，以進一步提升散熱效率，這樣設計讓內部芯片有更高的額定輸出電流，提高功率密度，讓設計人員能夠研發更小的電控單元，而無需在功能、性能和可靠性之間做出取舍。
新產品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的最大漏極電流120A，最大導通電阻分別為1.5 m?和3.0 m?，保證高能效，簡化系統熱管理。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC，器件本身電容很低，有助于在高速開關時提高能效。
這兩款40V MOSFET器件是意法半導體一個新產品家族的首批產品，采用意法半導體的STripFET™ F6技術和槽柵結構，額定電流和電壓范圍寬廣，適用于汽車產品。新MOSFET可以用于極其惡劣的工作環境，包括最高175°C的發動機艙。這些產品100%經過雪崩額定值測試，其封裝的可潤濕側翼引線可實現最佳焊接效果，100%支持自動光學檢查。
STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過AEC-Q101認證，即日上市。此外，該產品家族今年還將推出STripFET F7產品。
如需了解更多產品詳情，請訪問www.st.com/mosfets
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