2019年5月22日-- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟宣布供應(yīng)英飛凌全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制 EC7 二極管。這款 EasyPIMTM IGBT7模塊采用知名Easy封裝,可有效提高功率密度、降低系統(tǒng)成本并縮減系統(tǒng)尺寸。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和 EC7 二極管技術(shù)基于新型微結(jié)構(gòu)溝槽技術(shù),并針對(duì)工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,可提供更柔性切換及增強(qiáng)可控性,同時(shí)還大幅降低了靜態(tài)損耗,以滿足能效要求。此外,通過將功率模塊中的最大允許過載結(jié)溫提升至 175℃,還可顯著提高功率密度。
1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7可用于一系列模塊,包括:EasyPIM™ 1B 1200 V 10 A 或 25 A 三相輸入整流器 PIM(功率集成模塊),以及EasyPACK™ 2B 1200 V 100 A 六單元 IGBT 模塊。新模塊使用的引出線與TRENCHSTOP IGBT4 模塊的相同,幫助設(shè)計(jì)工程師減少了設(shè)計(jì)工作量。在相同尺寸的封裝中,新模塊可提供更高輸出電流;換言之,新模塊在更小的封裝中,也能實(shí)現(xiàn)類似的輸出電流,從而滿足用戶對(duì)更緊湊逆變器的設(shè)計(jì)需求。各類型模塊均采用英飛凌高度可靠的 PressFit 安裝技術(shù),可降低歐姆電阻,減少處理時(shí)間。
TRENCHSTOP™ IGBT7主要優(yōu)勢(shì)特性包括:
• 低損耗 - 全新芯片技術(shù)通過優(yōu)化低 Vce(sat) 大幅減少了損耗
• 專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用將 dv/dt 優(yōu)化為 2-8kV/µs
• 定制化短路設(shè)計(jì),性能更優(yōu),8µs @150℃ 足以滿足驅(qū)動(dòng)應(yīng)用所需
• 根據(jù)應(yīng)用條件簡(jiǎn)化并優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)。僅使用柵極電阻即可實(shí)現(xiàn)控制
• Tvjop 增加至 175℃,功率密度更高
• 同類最佳的 VCE(sat)
• 在 175℃ 下過載運(yùn)行
• 針對(duì)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)一步優(yōu)化了可控性
• 更高的功率密度 - 封裝縮小 35%,但功率不變
英飛凌 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制 EC7 二極管模塊可通過Farnell(歐洲、中東和非洲地區(qū))、Newark(北美地區(qū))和 e絡(luò)盟(亞太地區(qū))購買。
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