當前位置： CompoTech China > 業(yè)界資訊 > 消費電子/市場/辦公 >

英特爾發(fā)布采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤

本文作者：英特爾點擊： 2017-05-03 17:27

前言：

今天，英特爾發(fā)布了英特爾® 固態(tài)盤DC P4500系列及英特爾® 固態(tài)盤DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強了其擴大3D NAND供應的承諾。

作為英特爾® 固態(tài)盤數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品家族的最新補充，這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設計，可應用于軟件定義存儲及融合式基礎(chǔ)設施。英特爾® 固態(tài)盤DC P4500系列專門針對數(shù)據(jù)讀取進行優(yōu)化，能讓數(shù)據(jù)中心從服務器中獲得更多價值并存儲更多數(shù)據(jù)。而針對混合型工作負載所設計的英特爾® 固態(tài)盤DC P4600系列則可以加速緩存，并使每臺服務器可運行的工作負載量實現(xiàn)提升。

基于英特爾3階單元（TLC）3D NAND的英特爾® 固態(tài)盤DC P4500系列及英特爾® 固態(tài)盤DC P4600系列具備業(yè)界領(lǐng)先的存儲密度，同時使用英特爾全新開發(fā)的控制器、獨特的固件創(chuàng)新，并采用PCIe/NVMe標準。全新的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤將實現(xiàn)性能、容量、可管理性及可靠性的結(jié)合，并為數(shù)據(jù)中心提供顛覆性的價值。以上獨特的技術(shù)優(yōu)勢將在加速向軟件定義存儲遷移的同時加強有效擴展性，提升數(shù)據(jù)中心的效率，并在提高服務水平的同時降低總體擁有成本。初期，英特爾® 固態(tài)盤DC P4500系列與英特爾® 固態(tài)盤DC P4600系列將發(fā)布容量分別為1TB、2TB、4TB的半高半長的插卡式及U.2接口2.5寸形態(tài)的產(chǎn)品。

此外，英特爾在中國大連也在擴建Fab68工廠以擴大3D NAND的供給，進而滿足最終用戶的存儲需求。2015年10月，英特爾宣布投資建設大連Fab68工廠并轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND。

您可訪問www.intel.com/ssd以閱讀更多關(guān)于英特爾3D NAND、英特爾® 固態(tài)盤數(shù)據(jù)中心家族，以及全新的英特爾® 固態(tài)盤DC P4500系列與英特爾® 固態(tài)盤DC P4600系列的內(nèi)容。

關(guān)于英特爾

英特爾致力于拓展科技疆界，讓最佳精彩體驗成為可能。如需了解更多信息，如需了解更多信息，請訪問英特爾中國新聞中心newsroom.intel.cn 以及官方網(wǎng)站intel.cn。

本月熱點 HOME

欄目熱點 HOME