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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

本文作者：東芝點擊： 2020-03-30 15:23

前言：

進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品線

2020年3月30日--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”產品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源。

U-MOS X-H系列產品示意圖

新增產品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產品于今日開始出貨。

由于采用了其最新一代的工藝制造技術，與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此，新產品可提供業界最低[3]功耗。

東芝正在擴展其降耗型產品線，從而為降低設備功耗提供幫助。

應用：
?開關電源（高效AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
?電機控制設備（電機驅動等）

特性：
?業界最低[3]功耗（通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡）
?業界最低[3]導通電阻：
RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）
?高額定通道溫度：Tch=175℃

主要規格：

器件型號			TPH2R408QM	TPN19008QM
絕對最大額定值	漏源電壓VDSS（V）		80	80
	漏極電流（DC）ID（A）	@Tc=25℃	120	34
	通道溫度Tch（℃）		175	175
電氣特性	漏源導通電阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS=10V	2.43	19
		@VGS=6V	3.5	28
	總柵極電荷（柵源+柵漏） Qg典型值（nC）		87	16
	柵極開關電荷Qsw典型值（nC）		28	5.5
	輸出電荷Qoss典型值（nC）		90	16.5
	輸入電容Ciss典型值（pF）		5870	1020
封裝	名稱		SOP Advance	TSON Advance
	尺寸典型值（mm）		5.0×6.0	3.3×3.3
庫存查詢與購買			在線購買	在線購買

注釋：
[1] 總柵極電荷（柵源+柵漏）、柵極開關電荷、輸出電荷。
[2] 與TPH4R008NH（U-MOS Ⅷ-H系列）進行比較，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導通電阻 x 柵極開關電荷改善約為10%、漏源導通電阻x輸出電荷改善約為31%。
[3] 截至2019年3月30日，東芝調研。

如需了解相關東芝12-300V MOSFET產品線的更多信息，請訪問以下網址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets.html

如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：
TPH2R408QM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html

TPN19008QM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html

*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社，主要從事電子元器件事業和存儲產品事業。其中電子元器件事業包含占市場大份額的分立器件、以及業界先進的系統LSI。在分立半導體領域，集中力量在控制設備功耗的功率器件等產品。在系統LSI領域，通過用于物聯網、汽車電子、通信和電源應用領域的LSI產品，推動全球電子設備的發展。存儲產品事業主要在機械硬盤（HDD）領域，著重開發面向數據中心等企業級大容量存儲產品。東芝通過加強電子元器件事業和存儲產品事業，為支持和推動智能社區和智能生活的建設提供廣泛的半導體解決方案及應用。

更多信息請訪問：https://toshiba-semicon-storage.com

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