氮化鎵 (GaN) 早在上世紀九Ｏ年代就應用于發光二極管 (LED)，如今市場涵蓋光電、功率和射頻 (RF) 半導體器件；惟對于高壓半導體來說，碳化硅 (SiC) 更具競爭力。雖有傳聞 GaN 功率不斷提升可能侵蝕 SiC 部分市場，但安森美半導體 (ON) 電源方案部產品市場經理王利民并不認同這種說法：＂恰恰相反！就功率器件領域來說，坊間已有大量 650 V SiC MOSFET (金屬氧化物半導體場效晶體管，簡稱 MOS) 問市，其實正在蠶食部分 GaN 功率器件市場＂。即便如此，氮化鎵在功率器件的成長性依舊看好，只是市場容量遠不如碳化硅。
照片人物：安森美半導體 (ON) 電源方案部產品市場經理王利民
王利民表示，SiC 技術更新很快、成本趨向合理，其市場容量亦將隨著電動車市場飛速增長，而安森美的競爭優勢在于：提供領先且可靠的 SiC 產品方案、高性價比 SiC，且所有 SiC 都符合車規質量——全面的 SiC 分立器件／模塊以及包括 SiC MOSFET 和 SiC 二極管的＂全生態＂解決方案，并備有多代技術產品。目前 SiC 二極管有 650/1200/1700 V 三種規格，SiC MOSFET 除既有 900V 和 1200V 外，今年再添 650/750V/1700 V 三款新品 (現提供樣品)。今年 7 月還發布用于太陽能逆變器 (inverter) 的全 SiC 功率模塊——NXH40B120MNQ 系列。
NXH40B120MNQ 隨即已獲臺達電子用于 M70A 三相太陽能電池 (光伏組串) 逆變器。王利民說明，SiC 功率模塊提供低導通 (Eon) 和關斷損耗 (Eoff)，可支持更高的開關頻率，滿足＂高能效、低反向恢復和快速開關＂需求，提高逆變能效。NXH40B120MNQ 集成一個 1200V、40mΩ SiC MOSFET 和雙升壓的 1200V、40A SiC 升壓二極管，整合度高且引腳分配已針對逆變器設計進行優化。這些易用模塊可根據用戶喜好采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。
另一款工業級 NTHL080N120SC1 和符合 AEC-Q101 的汽車級 NVHL080N120SC1 SiC MOSFET，專供汽車 DC-DC、車載充電器、太陽能、不斷電系統 (UPS) 及服務器電源使用。其低漏電流、具低反向恢復電荷的快速本征 (intrinsic) 二極管，可大幅降低功耗，支持更高頻率工作和更高功率密度，低導通損耗及關斷損耗／快速導通及關斷結合低正向電壓降低總功耗，因而減少散熱要求。更重要的是，低電容可支持很高頻率開關的能力，減少電磁干擾 (EMI) 問題；同時，更高浪涌、雪崩能力和短路保護可增強整體強固性，提高可靠性并延長使用壽命。
圖：安森美 NXH40B120MNQ 全 SiC 功率模塊 (左)、NxHL080N120SC1 SiC MOSFET (右)
資料來源：安森美提供
