在物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 狂潮浪涌下，扇出型 (Fan- out) 封裝將呈爆炸性成長，可望彌補(bǔ)目前倒裝芯片 (Flip Chip) 的不足，包括：改善散熱和電性效能、藉由多次重布線 (RDL) 提供更多 I/O 接腳數(shù)目、整合更多功能，以及封裝尺寸更小等。不過，安美特化學(xué) (Atotech) 先進(jìn)封裝全球產(chǎn)品經(jīng)理 Cassandra Melvin 表示，這同時(shí)也為銅柱 (copper pillar) 電化學(xué)沉積 (Electrochemical Deposition, ECD) 工藝帶來挑戰(zhàn)：
1.電鍍 (Plating) 的電流密度須大于 20 ASD (電極單位面積所通過的安培數(shù))，且銅柱厚度大于 200μm；
2.電鍍銅柱的＂深寬比＂(aspect ratio) 須拉高至 4：1；
3.為使晶體更緊密、孔洞 (Voiding) 更少，須盡可能去除有機(jī)雜質(zhì)沉積；
4.降低蝕刻的非均勻性 (Non-uniformity, NU) 以提升良率。
照片人物：Atotech 先進(jìn)封裝全球產(chǎn)品經(jīng)理 Cassandra Melvin
Melvin 提醒，RDL 工程同樣要極力避免有機(jī)雜質(zhì)沉積，另有以下幾點(diǎn)須留意：1.電鍍線寬／線距 (L/S) 更精細(xì)，約在 10 μm 以下；2.同一段工藝中的電鍍 RDL 與填孔 (Via-Filling) 須保持一致；3.減少內(nèi)應(yīng)力以免造成翹曲。她指出，高速電鍍厚銅的關(guān)卡在于：如何更快沉積并獲得更好的均勻性及平坦度；經(jīng)過實(shí)證，提高＂深寬比＂將有效改善上述指標(biāo)。此外，有機(jī)雜質(zhì)會產(chǎn)生細(xì)微孔洞、影響電性效能；借助快速電鍍提高電流密度，可提高電流量、降低孔洞以強(qiáng)化半導(dǎo)體組件的可靠度。
至于非均勻性與良率的關(guān)系，由于電鍍期間的基板移動亦有助于攪拌及流動的優(yōu)化，進(jìn)而改善均勻性及高值＂深寬比＂的填孔結(jié)果——與標(biāo)準(zhǔn)工藝記錄 (POR) 相較，在相同的電流密度下，晶圓間 (WIW) 和芯片間 (WID) 的均勻表現(xiàn)明顯較佳，對可靠度及良率具正面作用。Melvin 介紹，Atotech 公司的＂MultiPlate＂電鍍設(shè)備能滿足上述需求，可實(shí)現(xiàn)高純度金屬沉積并具備雙面電鍍能力；可與各種尺寸／厚度的晶圓、面板、電鍍液及基板相容，包括硅和玻璃。
特別一提的是，＂MultiPlate＂采用不溶性陽極 (尺寸穩(wěn)定陽極)，幾何尺寸不會隨時(shí)間變化、電極反應(yīng)活性高，且送電均勻、使用壽命長，號稱＂現(xiàn)場零維護(hù)＂；它還提供可編程的機(jī)械攪動功能，允許工程師通過物理參數(shù)優(yōu)化外形、不需額外校平，減少有機(jī)雜質(zhì)摻入機(jī)會；若能降低 75% 有機(jī)雜質(zhì)并以 4～5 倍快的速度進(jìn)行電鍍，是組件可靠度及產(chǎn)出的黃金交叉點(diǎn)。
本月熱點(diǎn) HOME
欄目熱點(diǎn) HOME
- 業(yè)界資訊
是德科技 FieldFox 手持式分析儀配合 VDI 擴(kuò)頻模塊，實(shí)現(xiàn)毫米波分析功能 -
業(yè)界資訊
推進(jìn)ECU板對板連接，提升自動駕駛水平
02-06 -
新品報(bào)到
阜博集團(tuán)發(fā)布DreamMaker新產(chǎn)品
03-28 -
業(yè)界資訊
香港生產(chǎn)力促進(jìn)局2021年「成就智上」年度主題
02-28 -
業(yè)界資訊
西門子收購 Dotmatics，將 AI 驅(qū)動的工業(yè)軟件版圖擴(kuò)展至生命科學(xué)領(lǐng)域
04-06 -
業(yè)界資訊
西門子收購 Dotmatics，將 AI 驅(qū)動的工業(yè)軟件版圖擴(kuò)展至生命科學(xué)領(lǐng)域
04-06